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然而，欢喜货市Ce:GGAG的熔点约为1800℃，组分中Ga2O3 的熔点（1700oC）低于析晶温度,在高温时易发生分解（Ga2O3 = Ga2O+ O2）。现任中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室副研究员，愁省场的初秋硕士生导师。

如图3所示，走势采用移行助剂法后，晶体生长熔区上下对流对称，可持续稳定生长。且随着Ga/Al比的降低，家家间现Gd3(Al,Ga)5O12熔体非一致熔融倾向增加，至Gd3Al5O12时完全非一致熔融，从而导致晶体生长困难。如图2所示，欢喜货市熔剂块在晶体熔融生长过程中成熔区，并随生长晶体的熔区移动。

在生长过程中，愁省场的初秋相当比例的晶体从熔剂中沉积出来并保持这一量。2020年进入中国科学院上海硅酸盐研究所联合培养，走势主要从事光学浮区法生长闪烁晶体及其性能研究。

此外，家家间现Gd2O3:Al2O3 =29:71的助熔剂生长的Ce:GGAG晶体具有更快的衰减时间(64ns)和更高的快组分比(85%)。

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